SiC lygintuvai

„STMicroelectronics“ greito silicio karbido struktūros Schottky diodai

„STMicroelectronics“ silicio karbido struktūros Schottky diodų perjungimas leidžia dizaineriams pasiekti aukštesnį efektyvumo ir galios tankį. Skaičiuojant nuo 2 A iki 40 A, ST 650 V ir 1200 V SiC diodų šeimų grupėse yra pramoniniams ir automobiliams pritaikyti AEC-Q101 įtaisai ant paviršiaus montuojamų DPAK HV (aukštos įtampos) ir D²PAK arba per - skylių TO-220AC ir TO-247LL (ilgo švino) paketai.

ST diapazonas yra 1200 V silicio karbido (SiC) JBS (Junction Barrier Schottky) diodai. Tai patenkina dizainerių poreikius dėl didesnio efektyvumo, mažo svorio, mažo dydžio ir patobulintų šiluminių charakteristikų, skirtų į našumą orientuotoms programoms.

Siūlo puikią įėjimo įtampą (mažą V_F) ir moderniausio tvirtumo, ST 1200 V SiC diodai suteikia papildomos laisvės pasiekti aukštą efektyvumą ir patikimumą, esant mažesnei srovės vertei, taigi ir mažesnėms sąnaudoms, kartu sumažinant darbinę temperatūrą ir prailginant taikymo laiką. Jie užtikrina nepriekaištingą pritaikymą kiekviename jungiklio režimo keitiklyje ir keitiklyje, kur reikalingas ypatingas galios tankis ir efektyvumas, pavyzdžiui, SMPS, UPS, saulės ir variklio pavarose.

Stebint dabartinę vertę nuo 2 A iki 40 A, ST 1200 V SiC diodų šeimoje yra pramoniniams ir automobiliams pritaikyti AEC-Q101 įtaisai ant paviršiaus montuojamų DPAK HV (aukštos įtampos) ir D²PAK arba per skylę TO -220AC ir TO-247LL („long lead“) paketai.

ST 1200 V SiC leidžia pasiekti aukštus standartus ir mažą formos koeficientą.